全彩色Micro-LED微显示技术

 Micro-LED 显示技术是近年来继OLED 显示技术后最受关注的平板显示技术。作为固体主动发光器件，Micro-LED具有工作电压低、发光效率高、响应速度快、性能稳定可靠、工作温度范围宽等优点，在电视、电脑、微型投影机、无掩膜光刻、手机、手表、AR、VR 等中小型和微型显示器件中具有重要的应用需求。

    Micro-LED在2000年左右被首次提出。2004年，英国斯特克莱德大学研究团队使用干法刻蚀技术制作出GaN基蓝光Micro-LED阵列，像素大小为20μm，像素数为128×96。2006年，长春光机所梁静秋研究团队利用分层湿法腐蚀制备了AlGaInP红光Micro-LED阵列，像素大小为16μm×20μm，像素数量为1000×818。2011年，美国德克萨斯州立大学研究团队制作出像素大小为15μm的GaN基绿光Micro-LED阵列，像素数为640×480。2014年，苹果公司收购Lux Vue，正式入场Micro-LED的技术研究，Micro-LED技术也进入了大众的视野。

    在Micro-LED 器件发展过程中，国际上的研究工作多集中于红光、蓝绿光和紫外光等单色Micro-LED 器件的结构、制作工艺、器件特性等方面。图1以蓝宝石衬底外延片为例，给出了Micro-LED的结构和简要制备流程。外延层通常包括 GaN 缓冲层、n 型 GaN、InGaN/GaN 多量子阱、AlGaN 电子阻挡层和 p- GaN 层等。Micro LED的制作流程通常包括ICP台面刻蚀、n电极金属沉积、SiO2 层沉积、p电极沉积及退火等。